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    得益于伊利诺伊大学开创的新型半导体制造方法，太阳能开发的前景变得更加光明了。
　　在将阳光转化为电能的光电池等各种电子装置中，硅都是最常用半导体材料。虽然砷化镓及相关化合物半导体在太阳能装置中的效率比硅半导体高一倍，但高昂的制造成本妨碍了它们的普及应用。
　　伊利诺伊大学教授约翰·罗杰斯和李秀玲（音）探究了以较低成本制造砷化镓薄膜的方法，这也使得采用这些砷化镓薄膜的各类装置具有更为广泛的用途。罗杰斯说：“如果你能够可持续地降低砷化镓及其相关化合物半导体的成本，那么你就可以扩大它们的应用范围。”
　　在5月20日发表在学术期刊《自然》网站上的论文中，这个研究小组描述了他们使用的方法，并演示了采用以多层堆栈技术制造的砷化镓芯片的3类装置：光传感器、高速晶体管和太阳能电池。
　　相对于制造砷化镓芯片的传统单层堆栈技术，多层堆伐技术的一大优点是节约了成木，另一个优点是消除了面积上的制约，这对于太阳能电池尤其重要。随着多层半导体被从堆栈中取出，它们可以并排摆放在另一个衬底上，从而得到大很多的表面积，而由典型的单层制造工艺制造的晶片则可能因面积因素受限。
　　罗杰斯说：“从光电学的角度，你希望有庞大的表面区域来捕捉尽可能多的阳光。一个极端的情形是我们可以增加足够多的层，从而使表面积达到传统方法的10倍。”
　　把硅晶片改成效能较高的砷化镓片可以使太阳能成为一种成本效益更高的替代能源。